TSMC iniciará la fabricación de circuitos integrados de 1,6 nm en 2026. No se trata de ninguna conjetura; lo ha confirmado C. C. Wei, el director general de la compañía, hace apenas unas horas en el evento North America Technology Symposium que se ha celebrado en Santa Clara (California). Este movimiento es mucho más que una declaración de intenciones; es claramente un toque de atención a una Intel que está decidida a arrebatar a TSMC el liderazgo que ostenta actualmente en la industria de los semiconductores.

“Nuestra tecnología mejorará drásticamente la densidad y el rendimiento de los chips […] En TSMC ofrecemos a nuestros clientes el paquete de tecnologías más completo para que puedan hacer realidad sus proyectos de inteligencia artificial (IA) utilizando la tecnología de silicio más avanzada del mundo”, declaró Wei durante el evento californiano. Este anuncio persigue reclamar la atención en un momento en el que Intel y Samsung están afinando su estrategia para incrementar su cuota de mercado en detrimento de la de TSMC tanto como sea posible.

La ambición de Intel ha obligado a TSMC a pisar el acelerador

El plan de Intel a corto y medio plazo para crecer como fabricante de semiconductores es estremecedor por su gran ambición. Y, curiosamente, los equipos de litografía de ultravioleta extremo (UVE) y alta apertura que ya está fabricando la compañía neerlandesa ASML tienen un rol protagonista en su estrategia. En 2025 comenzará a realizar las primeras pruebas de producto empleando esta máquina, aunque los primeros circuitos integrados producidos con ella saldrán del nodo 14A durante 2026.

Ya en 2027 Intel pondrá en marcha una revisión presumiblemente mejorada de este nodo que recibirá el nombre 14A-E. Estos dos nodos marcarán el inicio de la fabricación de chips utilizando los nuevos equipos de litografía UVE y alta apertura de ASML. Según Intel estas máquinas ayudarán a los fabricantes de circuitos integrados que apuesten por ellas a sostener la ley de Moore durante más tiempo. Tanto ASML como Intel defienden que estas máquinas han sido diseñadas para ayudar a los fabricantes de semiconductores a incrementar la resolución de sus procesos litográficos sin que aumente la complejidad.

El camino que va a seguir TSMC es diferente. Kevin Zhang, vicepresidente de desarrollo de negocio de esta compañía, sostiene que ellos no necesitan los equipos de litografía UVE de alta apertura de ASML para fabricar chips en su nodo A16 (1,6 nm). Es evidente que confían en su capacidad de optimizar los procesos involucrados en la producción de circuitos integrados en las máquinas UVE convencionales. A principios de enero Szeho Ng, un analista de China Renaissance, vaticinó que TSMC no utilizaría los equipos UVE de alta apertura de ASML hasta que introdujese su tecnología de integración de 1 nm.

El medio DigiTimes Asia, que habitualmente maneja información muy fiable, se ha mojado y, al igual que Szeho Ng, defiende que TSMC no utilizará los equipos de litografía más avanzados de ASML en sus nodos de 2, 1,6 y 1,4 nm. De ser así esta decisión tendría repercusiones muy importantes. Por un lado la postura de TSMC nos recuerda que con los refinamientos adecuados los equipos de litografía UVE de primera generación pueden ser utilizados para producir chips de 2 nm, e, incluso, más allá (ya veremos con qué rendimiento por oblea).

Y, además, si finalmente TSMC confirma esta estrategia no empezaría a producir circuitos integrados de forma masiva empleando la máquina UVE High-NA de ASML hasta finales de esta década. Probablemente hasta 2029 o 2030. Veremos qué tal le va a Intel con estos equipos. Cabe la posibilidad de que si la apuesta le sale bien a Pat Gelsinger esta empresa estadounidense consiga colocar en el mercado chips de vanguardia con un coste muy competitivo. Esta es, precisamente, una de las bazas que según ASML propone su equipo de litografía más avanzado.

Imagen | TSMC

Más información | Nikkei Asia | SCMP

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